市场研究机构TrendForce日前报告指出，近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动，部分品项出现较积极询价需求。

8月下旬NAND Flash原厂进一步与部分中国指标模组厂议定新一笔晶圆订单，并成功拉抬512Gb晶圆合约价，涨幅约10%，其他原厂亦跟进将同级产品价格提升，显现原厂不愿再低价成交，从而带动晶圆现货市场近期出现短期涨势。

值得一提的是，昨夜美股西部数据及美光分别上涨5.83%、2.72%。

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去年四季度起，铠侠及美光率先启动减产，三星则在今年第二季跟进，业内预计减产效益到今年下半年才会发生。

近日已有业内人士透露，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。

值得一提的是，三星之前已下令暂停存储芯片第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元者全面停止出货。已有两大厂商私下证实，并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位，未来不会再出现了”，意味存储芯片价格全面看涨，有望在供应链配合下，进入报价回升周期。

TrendForce 31日报告则显示，三星最初的减产幅度为25%，第四季可能扩大到35%，代表目前市况供过于求压力仍大。原厂若不积极应对，即便下半年需求会温和复苏，NAND Flash相关产品价格要落底反弹也有困难。因此，目前一线NAND Flash原厂均积极减产控制供给，力求止跌，避免价格持续破底。

至于模组厂，由于NAND Flash晶圆涨价已带来成本提升压力，模组厂近期纷纷释出调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品方面，Kingston、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易，不再开放客户另议以低价成交。

另外，据台媒8月31日消息，近1个月来，NAND Flash现货价格持续小幅调升，单月涨幅约达5%，逐渐靠拢合约价。

展望2024年，TrendForce另一篇研报表示，预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估2024上半年，消费电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤、显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元同比增幅分别有13.0%及16.0%。

不过，该机构也提醒，由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现，是否有实际终端订单支撑仍待观察。